IRF634SPBF產品參數

品牌：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK

詳細描述：表面貼裝 N 溝道 250V 8.1A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK

制造商：Vishay Siliconix

系列：-

包裝：管件

零件狀態：停產

FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：250V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：8.1A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：450 毫歐 @ 5.1A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：41nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：770pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），74W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應商器件封裝：D2PAK

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

標準包裝：50

其它名稱：*IRF634SPBF