IRF3205L產品參數

品牌：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 55V 110A TO-262

詳細描述：通孔 N 溝道 55V 110A（Tc） 200W（Tc） TO-262

制造商：Infineon Technologies

系列：HEXFET?

包裝：管件

零件狀態：停產

FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：55V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）：110A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：8 毫歐 @ 62A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：146nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：3247pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：200W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-262

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

標準包裝：50

其它名稱：*IRF3205L