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品牌:GeneSiC Semiconductor
描述:TRANS SJT 650V 4A TO-257
詳細描述:通孔 650V 4A(Tc)(165°C) 47W(Tc) TO-257
制造商:GeneSiC Semiconductor
系列:-
包裝:散裝
零件狀態:停產
FET 類型:-
技術:SiC(碳化硅結晶體管)
漏源電壓(Vdss):650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc)(165°C)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):-
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):415 毫歐 @ 4A
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-
Vgs(最大值):-
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):324pF @ 35V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):47W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應商器件封裝:TO-257
封裝/外殼:TO-257-3
標準包裝:10
其它名稱:1242-1146
專業IC領域供求交易平臺:提供全面的IC Datasheet資料和資訊,Datasheet 1000萬數據,IC品牌1000多家。