2N2222A產品參數

品牌：ON Semiconductor

描述：NPN MED PWR GEN PUR (TO-18 CASE)

詳細描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 800mA 500mW Through Hole TO-18

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包裝：散裝

零件狀態：停產

晶體管類型：NPN

電流 - 集電極（Ic）（最大值）：800mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：40V

不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）：1V @ 50mA，500mA

電流 - 集電極截止（最大值）：-

不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：100 @ 150mA，10V

功率 - 最大值：500mW

頻率 - 躍遷：-

工作溫度：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-206AA，TO-18-3 金屬罐

供應商器件封裝：TO-18

基本零件編號：2N2222

標準包裝：500

對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：含鉛 / 不符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求

濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）